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Typical Characteristics
10
500
8
6
4
2
I D = 1.4A
V DS = 50V
100V
75V
400
300
200
100
C OSS
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
C RSS
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
25
50
75
100
125
150
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ s
30
SINGLE PULSE
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
0.1
DC
1s
20
V GS = 10V
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156°C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC2512 Rev B 4 (W)
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